電子材料の販売、ICパッケージの試作・解析・評価

半導体パッケージ試作

フリップチップボンディング

多種多様な実装プロセス及び高精度実装に対応します。

高密度実装を行う上で、フリップチップ実装は不可欠になってきております。
弊社は量産仕様装置を使用して多様な実装工法のフリップチップ実装を提供いたします。

  • フリップチップボンダー1
    フリップチップボンダー1
  • 超音波FCボンダー
    超音波FCボンダー
  • ジェットディスペンサー
    ジェットディスペンサー

特長

  • ・超音波FCボンダーを導入し、全てのFCプロセスが対応可能となりました。
  • ・フリップチップ実装後のアンダーフィル注入も対応いたします。
  • ・弊社標準アンダーフィル材は常時在庫として保有しております。
  • ・試作・加工時の立合いも可能です。
  • ・チップ1個からの加工も対応いたします。
  • ・アンダーフィル後のボイド観察(SAT観察)も対応いたします。
  • ・バンプ成形も対応いたします。(金/銅スタッドバンプ・メッキバンプなど)
  • ・評価用TEGチップの手配も可能です。
  • ・フリップチップ実装以外にもワイヤーボンディング実装にも対応しております。

フリップチップボンダー

項目 仕様
型式名 FCB3
対象ワークサイズ 基板:50〜190mm

ウェハ:8インチ(φ200mm)

厚み:0.5mm〜2.5mm

対象チップサイズ □1.0mm〜□20.0mm

t=0.1mm〜0.725mm

チップ供給方法 8インチウエハリング

2インチチップトレイ

ヘッド加熱温度 常温〜500℃
ステージ加熱温度 常温〜150℃
ボンディング精度 XY精度±3um

θ精度:±1.0°

ボンディング荷重 5.0N〜490.0N

超音波FCボンダー

項目 仕様
型式名 FCX501
対象ワークサイズ 長さ:50〜203.2mm

幅 :30〜203.2mm

厚み:0.3mm〜3.0mm

対象チップサイズ □0.3mm〜□7.0mm

t=0.1mm〜0.5mm

チップ供給方法 8インチウエハリング

2インチチップトレイ

ヘッド加熱温度 常温〜200℃
ステージ加熱温度 常温〜200℃
ボンディング精度 XY精度±10um(3σ)

θ精度:±0.5°

ボンディング荷重 1.0N〜50.0N
US周波数 60kHz

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