フリップチップ実装
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フリップチップ実装受託サービスについて
フリップチップ実装は、半導体デバイスとインターポーザ（基板）をバンプを介して実装する実装工法のひとつです。フリップチップ実装は高密度実装には不可欠な実装方法であり、多岐に渡り様々な半導体パッケージに採用されています。当社は多様なフリップチップ工法が対応可能であり、お客様のアプリケーションや目的にあわせたフリップチップ工法をご提案をさせて頂きますのでフリップチップ実装にお困りな事が御座いましたらお気軽にお問い合わせ下さい。
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サービス特徴フリップチップ実装
- 少量（1pcs）から対応可能です。
- 評価用TEGチップ及び基板も当社で準備可能です。
- バンプ成形も対応可能です。
- フリップチップ後のアンダーフィル材塗布も可能です。
サービスの強みフリップチップ実装
- 当社のフリップチップ実装サービスは、一般的なフリップチップ工法全てが当社内で対応出来る事が強みです。
- お客様にフリップチップ実装についての知識がない場合でも当社から最適な実装方法をご提案致します。
- 当社のフリップチップ実装装置は、量産仕様装置の為安定且つ高精度にて実装が対応可能です。
ご依頼例フリップチップ実装
- 半導体装置メーカー向けMEMSチップ接合試作
- 半導体メーカー向けFC-BGA組立
- 8インチCOW（Chip On Wafer）実装試作
フリップチップ実装とは
C4接続、Cuピラー接続や超音波接続など様々なフリップチップ実装工法が対応可能です。またお客様の御希望に応じてダミーチップ及びTEGチップ・実装基板の手配を致します。バンプ形成についてもスタッドバンプ成形は弊社内にて対応可能です。その他メッキ系バンプ及びハンダ系バンプについては弊社協力メーカーにて対応が可能です。
熱圧着仕様フリップチップボンダー
設備スペック
- 型式名：FCB-3
- 搭載精度：±3.0um
- 基板サイズ：50mm〜190mm t=Max2.5mm
- チップサイズ：1mm□〜20mm□ t=Max0.725mm
- ヘッド加熱温度：Max450℃
- 基板加熱温度：Max150℃
- 実装荷重：Max490N
- チップ供給方法：ウエハ・トレイ
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熱圧着仕様フリップチップボンダー
超音波仕様フリップチップボンダー
設備スペック
- 型式名：FCX-501
- 搭載精度：±10.0um
- 基板サイズ：長さ：50〜203mm、幅：30〜203mm、基板厚み：Max2.5mm
- チップサイズ：0.3mm〜7.0mm、チップ厚み：Max0.725mm
- ヘッド加熱温度：Max200℃
- 基板加熱温度：Max200℃
- 実装荷重：Max50.0N
- チップ供給方法：ウエハ・トレイ
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超音波仕様フリップチップボンダー
よくある質問
- 手元に半導体チップを持っているが、どのようなフリップチップ実装をすればよいのか分からない。
- 当社技術者からお客様の使用用途及び御希望内容をお聞きして最適なフリップチップ実装プロセスを提案致します。
- フリップチップ実装は社内で対応できるが、バンプ成形が出来ないのでバンプ成形のみの受託は可能でしょうか？
- バンプ成形のみの受託加工も可能です。
- フリップチップ実装の工程がよく分からないので、依頼時に立会は可能でしょうか？
- 立会は可能ですので、お気軽にお申し付け下さい。
フリップチップ実装におけるシーマ電⼦の強み
熱圧着工法及び超音波工法（多種FCプロセス工法）が対応可能です。さらにアンダーフィル注入も対応できます（弊社標準アンダーフィル在庫あり）。また、スタッドバンプ及びメッキバンプ形成にも対応致します。COW実装（Chip On Wefer）8インチが対応可能です。
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