ダイアタッチ（ダイボンディング）／ギ酸リフロー
#ICチップ搭載 #焼結材接合評価 #ギ酸リフロー
LSIシリコンチップの高速・高精度な搭載からパワーデバイスチップ等の半田接合やシンタリング材接合での搭載など多種なICチップ搭載受託を少量から短納期で承っております。ダイアタッチ後の接合強度試験、X線やSATを用いた非破壊で接合状態の確認評価、また実作業時の立会いにも対応しております。半導体素子を各種基板(有機基板、リードフレーム、セラミック基板、金属片等)へ搭載し、ダイアタッチ材等を用いて接合・接着する工程となります。
ダイボンダー
量産仕様設備を用いた高速・高精度なフルオート搭載から手搭載にも対応しております。3D実装(スタック)、装置スペック外、異形材などの特殊仕様も実績に基づき提案させて頂きます。ベアSiやMOSFET、GaN、ダイオードなど各種ICチップ搭載に対応しております。また各種接合材（絶縁樹脂系接着剤、Agペースト、ダイアタッチフィルム等)を用いたダイアタッチが可能です。ダイボンディングを実施する際には、必要な治具の設計・製作も対応いたします。
- 型式名：BESTEM D-02
- ワークサイズ：長さ120〜260mm、幅20〜80mm 厚み0.1〜0.8mm
- ICサイズ：1.0mm〜20.omm、厚み0.2〜0.5mm
- IC供給方法：8inchリング、2or4inchトレイ
- 対象ダイアタッチ材：絶縁ペースト、Agペースト、DAF等
- ボンディング加熱温度：常温〜200℃
- ボンディング精度XY精度±25μm θ精度：±1.0°
- ボンディング荷重：0.5〜15.0N
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ダイボンダー
ギ酸リフロー
パワーデバイス接合やフリップ実装に最適なギ酸還元リフローを使用したダイアタッチ工程です。酸化膜除去やボイドレスを狙った還元リフローを使った半田接合、シンタリング材（焼結材）接合に対応。接合材には板半田、銀、銅ナノペースト、金錫半田等の実績があります。真空やN2雰囲気での対応もお任せ下さい。
ギ酸を使用し、酸化膜除去を行ったり、半田溶融時に減圧する事により半田内ボイドの低減が可能。 フラックスレスの為、リフロー後の洗浄工程不要。
- ワークサイズ：300x300x85mmH
- 加熱温度：最大500℃
- 対応ガス：ギ酸、窒素
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ギ酸リフロー -
半田接合評価：X線観察画像
加圧リフロー
加圧が必要なシンタリング材(焼結材)接合にも対応しております。
真空下にて加熱および加圧が可能。
- シーマオリジナル加圧接合装置
- ヒーター：上下４本 合計800W、コントローラー2ch
- 加圧：プレスジャッキMax2t※圧力計Max100Mpa
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