ダイアタッチ(ダイボンディング)
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個片となった半導体素子(ダイ、ICチップ)をAgペースト、絶縁接着剤、DAFなどのダイボンディング材を用いて各種基板(インターポーザー、プリント基板、リードフレーム、フレキ基板)基板へ搭載固定します。
サービス特徴ダイアタッチ(ダイボンディング)
- 量産仕様設備を用いた高速・高精度なフルオート搭載から手搭載まで幅広く対応いたします。
- 真空ギ酸リフローを用いた半田やシンタリング材接合にも対応いたします。
- シーマオリジナル加圧接合装置を使い、真空下での加熱加圧接合も対応可能です。
- 量産仕様のダイボンダーを用いた高速・高精度なフルオート搭載から手搭載(手実装)まで幅広く対応しております。
- 少量からのダイボンディング(ダイアタッチ)から開発材料の実装評価も承ります。
- 実作業時の立会いも可能です。
サービスの強みダイアタッチ(ダイボンディング)
- 3D実装(スタック)、装置スペック外、異形材などの特殊仕様も実績に基づき提案
- ベアSiやMOSFET、GaN、ダイオードなど各種ICチップ搭載に対応
- 各種接合材(絶縁樹脂系接着剤、Agペースト、ダイアタッチフィルム等)を用いたダイアタッチが可能
- 必要な治具の設計・製作も対応
- 少量からのチップ実装、複数の水準でのダイボンディング(ダイアタッチ)に対応
- 各種接合材(Agペースト、絶縁接着剤、DAF等)を用いたダイボンディング(ダイアタッチ)が可能
- COB実装、スタック実装、3D実装などにも対応
ご依頼例ダイアタッチ(ダイボンディング)
- LSIシリコンチップの高速・高精度な搭載
- パワー半導体チップの半田接合
- 真空加圧条件でのシンタリング接合
- ダイボンダーを用いた高速・高精度な搭載
- LSIチップのイボンディング(ダイアタッチ)
- LEDチップのダイボンディング(ダイアタッチ)
- センサチップのダイボンディング(ダイアタッチ)
- Agペースト、絶縁接着剤、ダイアタッチフィルム(DAF)等でのダイボンディング(ダイアタッチ)
- 基板へのCOB(Chip On Board)実装
- ダイボンディング材(ダイアタッチ材)の開発材料評価
ダイアタッチ(ダイボンディング)とは
パワーデバイス接合やフリップ実装に最適なギ酸還元リフローを使用したダイアタッチ工程です。酸化膜除去やボイドレスを狙った還元リフローを使った半田接合、シンタリング材(焼結材)接合に対応。接合材には板半田、銀、銅ナノペースト、金錫半田等の実績があります。真空やN2雰囲気での対応もお任せ下さい。加圧が必要なシンタリング材(焼結材)接合にも対応しております。
ダイボンディングフロー
素子と搭載する場所にダイボンディング材を適量塗布
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ダイボンディング材塗布
ダイボンディング材を塗布した場所へICチップを加圧接着
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ICチップ搭載
熱硬化樹脂をオーブンで加熱硬化
ダイボンダー
量産仕様設備を用いた高速・高精度なフルオート搭載から手搭載にも対応しております。3D実装(スタック)、装置スペック外、異形材などの特殊仕様も実績に基づき提案させて頂きます。ベアSiやMOSFET、GaN、ダイオードなど各種ICチップ搭載に対応しております。また各種接合材(絶縁樹脂系接着剤、Agペースト、ダイアタッチフィルム等)を用いたダイアタッチが可能です。ダイボンディングを実施する際には、必要な治具の設計・製作も対応いたします。
- 型式名:BESTEM D-02
- ワークサイズ:長さ120〜260mm、幅20〜80mm 厚み0.1〜0.8mm
- ICサイズ:1.0mm〜20.omm、厚み0.2〜0.5mm
- IC供給方法:8inchリング、2or4inchトレイ
- 対象ダイアタッチ材:絶縁ペースト、Agペースト、DAF等
- ボンディング加熱温度:常温〜200℃
- ボンディング精度XY精度±25μm θ精度:±1.0°
- ボンディング荷重:0.5〜15.0N
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ダイボンダー
加圧熱装置(シンタリング装置)
加圧が必要なシンタリング材(焼結材)接合にも対応しております。
真空下にて加熱および加圧が可能。
- シーマオリジナル加圧熱装置
- ヒーター:上下4本 合計800W、コントローラー2ch
- 加圧:プレスジャッキMax2t※圧力計Max100Mpa
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シーマオリジナル加圧熱装置
よくある質問
- 高速ボンダーはどの様なダイアタッチ剤に対応しているか。
- 絶縁樹脂系接着剤、Agペースト、ダイアタッチフィルム等
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