シーマ電子株式会社

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パワーデバイス向けバイアス試験/逆バイアス試験

#恒温恒湿バイアス #高温・低温動作試験 #寿命試験 #加速試験 #THB

パワーデバイス向けバイアス試験/逆バイアス試験受託サービスについて

パワーデバイスに於ける絶縁破壊耐性を確認するため、高温・大電圧環境下でリーク電流挙動を評価する加速寿命試験です。IGBTやMOFETなどのパワーデバイスを対象に高電圧印加の試験に対応をしております。

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試験機仕様
  • 温度範囲〜150℃
  • 最大印加電圧:2,000V(昇圧対応予定)
  • 検出電流:100uA~100mA
  • 検出時間:20u/Sec以下
  • 測定台数:最大16台
当社試験機は2,000Vまでの実績がございます

HTOL(高温動作試験)も承ります。2,000V以上の試験をご希望の方もお問い合わせください。お客様のご要求に合わせ、柔軟に対応をいたします。また、当社はチップを搭載するパッケージやモジュールの組立から承ります。X線-CTやSATも保有しておりますので、試験後の故障解析も非破壊にて対応が可能です。基板設計から対応可能ですので、お気軽にお問い合わせください。

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納品までの流れ

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半導体のプロフェショナルにお気軽にご相談をお寄せください。

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