パワーデバイス向けバイアス試験/逆バイアス試験
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パワーデバイス向けバイアス試験/逆バイアス試験受託サービスについて
高温環境下に於いてデバイスへ大電圧印加することにより、絶縁劣化、破壊を評価する加速試験です。（HTOL,HTRB,HTFB）。当社ではIGBTやMOSFETなどのパワーデバイスを対象に最大2,000Vでの評価実績がございます。(昇圧対応予定)2,000V以上についても現在対応準備を進めておりますので、ご希望のお客様はお気軽にお問い合わせください。
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サービス特徴パワーデバイス向けバイアス試験/逆バイアス試験
- 〜2,000Vまでの実績がございます。(昇圧予定）
- 〜150℃まで対応しております。
- 範囲外の電圧、温度域についてもカスタマイズにて対応いたします。ご相談ください。
サービスの強みパワーデバイス向けバイアス試験/逆バイアス試験
- 高電圧の評価に対応しております。
- サンプルへの過電流、過電圧を防ぐ独自保護回路を用いて評価を行う為、故障発生時のサンプルへの影響を最小限に抑えた評価が可能です。
- 既製装置で評価出来ないものもカスタム装置を作成対応いたします。ご相談下さい。
ご依頼例パワーデバイス向けバイアス試験/逆バイアス試験
- お客様からのご依頼により、高電圧環境下での逆バイアス試験を実施。故障時にパワーデバイスへ影響が出ないよう、専用リミット回路を製作し、対応いたしました。
パワーデバイス向けバイアス試験/逆バイアス試験とは
IGBTやMOSFET、ダイオードを高温環境、高電圧環境にて連続通電することによって、絶縁膜経時変化を評価する試験です。高温動作試験(HTOL)高温順バイアス試験(HTFB)、高温逆バイアス試験(HTRB)などが当たります。時間経過によって変わるリーク電流を監視することで劣化状況を判断します。故障発生時にデバイスへの影響を最小限に抑える必要があり、当社では専用の保護回路を用いることで対策をしております。
試験機仕様
- 恒温槽温度範囲:〜150℃
- 恒温恒湿槽温湿度範囲:-40℃~100℃、20~98%rh
- AC耐電圧試験最大印加電圧:5kV/100mA（500VA）
- DC耐電圧試験最大印加電圧:5kV/20mA、7.2kV/13.9mA（100W）
- 絶縁抵抗試験測定範囲:0.001MΩ〜100.0GΩ（DC-25V〜-1000V/DC+50V〜+7200V）
- 絶縁破壊の検出感度を設定可能
- AC5kV/100mA、DC7.2kV/100Wの耐電圧試験機能
- 検出電流:100uA~100mA
- 検出時間:20μs 以下
- 測定台数:最大16台
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環境試験機 -
絶縁抵抗試験機
よくある質問
- 試験費用を教えてください。
- 試験条件により異なる為、都度見積とさせて頂いております。問合せフォームより試験条件、測定数量をご連絡ください。
- 故障発生時のサンプルへの過電流、過電圧が心配です。
- デバイスへの影響を最小限に出来る様、保護回路を準備しておりますので、ご安心下さい。
当社試験機は2,000Vまでの実績がございます
HTOL（高温動作試験）も承ります。2,000V以上の試験をご希望の方もお問い合わせください。お客様のご要求に合わせ、柔軟に対応をいたします。また、当社はチップを搭載するパッケージやモジュールの組立から承ります。X線-CTやSATも保有しておりますので、試験後の故障解析も非破壊にて対応が可能です。基板設計から対応可能ですので、お気軽にお問い合わせください。
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service flow_納品までの流れ
半導体のプロフェショナルにお気軽にご相談をお寄せください。
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