静特性測定
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静特性測定受託サービスについて
トランジスタ特性やダイオード特性などパワーデバイスの増幅、スイッチ等の電気特性を測定いたします。当社では電圧は最大2kV、電流は最大200Aまで測定可能です。
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サービス特徴静特性測定
- 当社評価サービスと組み合わせることで、評価前・後の比較評価を一貫して対応可能です。
- 既製品だけでなく、当社にてパッケージ化したデバイスの評価も可能です。
サービスの強み静特性測定
- 常温環境下だけでなく、〜200℃までの範囲での測定が可能です。
- 各種信頼性評価試験も受託しているため、試験前・後にデバイスの電気特性を確認し特性に変化が無いなどの確認を行う事も可能です。
- 測定可能電流は〜200A、電圧は〜2kVまで対応しているため、大きい電力を扱うデバイスの測定が可能です。
ご依頼例静特性測定
- デバイスメーカー様のご依頼で、お客様にて開発されたチップを当社試作組立工程にてパッケージ化したデバイスの評価を信頼性評価前・後で比較評価いたしました。
- 装置メーカー様のご依頼で特性不明デバイスの特性確認評価を実施いたしました。
静特性測定とは
静特性測定とは、時間的要素を含まない定常状態で測定対象の電気特性を測定することです。一定電流に対する電圧の変化や一定電圧に対する電流の変化を測定し、グラフへプロットすることで測定対象の電気特性を把握する事が可能です。常温環境下だけでなく、高温環境(~200℃)での測定も行う事で、温度変化による特性変化も取得することで、使用温度範囲の検討も可能となります。
静特性測定
- 対象デバイス：トランジスタ、MOSFET、IGBT、ダイオード、サイリスタ
- 印加範囲：電圧最大2kV、電流200A
- 測定時間：10μsec〜999msec(10A以上は最大1msec)
- 測定チャンネル：3チャンネル(MOSFET:ch1chソース 2chゲート 3chドレイン)
- 測定環境：常温〜200℃
ダイオード特性
測定項目IR(遮断電流)
- 印加1.00V〜2.00kV
- 測定0.000nA〜99.99mA
- 印加1.00μA〜99.9mA
- 測定0.00V〜2.00kV
- 印加1.00μA〜200A
- 測定0.0mV〜20.00V
MOSFET特性
測定項目IDSS(遮断電流)
- 印加1.00V〜2.00kV
- 測定0.000nA〜99.99mA
- 印加1.00V〜50.0V
- 測定0.000nA〜99.99mA
- 印加1.00μA〜99.9mA
- 測定0.00V〜2.000kV
- 印加1.00μA〜200A
- 測定0.0mV〜20.00V
- 印加 1.00μA〜200A、 1.00V〜30.0V
- 測定 0.0mV〜20.0V
- 印加 1.00μA〜200A、 0.00V〜50.0V
- 測定 0.0mV〜20.0V
よくある質問
- 試験費用を教えてください。
- 試験条件により異なる為、都度見積とさせて頂いております。問合せフォームより試験条件、測定数量をご連絡ください。
- 測定可能なデバイスを教えて下さい。
- IGBT、MOSFET、ダイオードの測定が可能です。
- チップ単体の測定は可能ですか？
- はい。可能です。最適な治具設計を行い実施する事が可能です。お気軽にご相談ください。
静特性測定におけるシーマ電⼦の強み
評価用パッケージの試作も当社にて対応可能でございます。また、サーマルサイクル試験やパワーサイクル試験、絶縁試験等にも対応しております。合わせてご相談ください。
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