シーマ電子株式会社

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静特性測定

#IGBT #電気特性 #トランジスタ #ダイオード #パワーMOSFET

静特性測定受託サービスについて

トランジスタ特性やダイオード特性などパワーデバイスの増幅、スイッチ等の電気特性を測定いたします。電圧は最大2kV、電流は最大200Aまで測定可能です。

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静特性測定
  • 対象デバイス:トランジスタ、MOSFET、IGBT、ダイオード、サイリスタ
  • 印加範囲:電圧最大2kV、電流200A
  • 測定時間:10μsec〜999msec(10A以上は最大1msec)
  • 測定チャンネル:3チャンネル(MOSFET:ch1chソース 2chゲート 3chドレイン)
  • 測定環境:常温〜200℃
ダイオード特性

測定項目IR(遮断電流)

  • 印加1.00V〜2.00kV
  • 測定0.000nA〜99.99mA

測定項目VR(降伏電圧)

  • 印加1.00μA〜99.9mA
  • 測定0.00V〜2.00kV

測定項目VF(順方向電圧)

  • 印加1.00μA〜200A
  • 測定0.0mV〜20.00V
MOSFET特性

測定項目IDSS(遮断電流)

  • 印加1.00V〜2.00kV
  • 測定0.000nA〜99.99mA

測定項目IGSS(遮断電流)

  • 印加1.00V〜50.0V
  • 測定0.000nA〜99.99mA

測定項目VDSS(降伏電圧)

  • 印加1.00μA〜99.9mA
  • 測定0.00V〜2.000kV

測定項目VFDS(順方向電圧)

  • 印加1.00μA〜200A
  • 測定0.0mV〜20.00V

測定項目VTH(しきい値)

  • 印加1.00μA〜200A0.0mV〜20.0V
  • 測定1.00V〜30.0V

測定項目VDSON(ドレイン-ソース電圧)

  • 印加1.00μA〜200A
  • 測定0.0mV〜20.0V0.00V〜50.0V
静特性測定におけるシーマ電⼦の強み

評価用パッケージの試作も当社にて対応可能でございます。また、サーマルサイクル試験やパワーサイクル試験、絶縁試験等にも対応しております。合わせてご相談ください。

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納品までの流れ

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半導体のプロフェショナルにお気軽にご相談をお寄せください。

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