モールド
#エポキシ樹脂 #樹脂封止 #半導体封止 #モールド封止受託
お客様のニーズに合わせて様々なモールド成型をご提案します。当社ではトランスファー方式、コンプレッション方式、2種類のモールド成形機を用いて熱硬化性樹脂による半導体封止に対応いたします。
トランスファーモールド
トランスファー方式は、従来より半導体封止に採用されている成形方式でタブレット状の樹脂を用いてプランジャで溶融した樹脂をモールド金型内へ圧力を掛け注入する成型方法になります。
マニュアル装置
各種モールドパッケージへ対応が可能。新規パッケージ試作などに最適です。
- モールド装置とモールド金型が分離しているため自由度が高いモールド金型を使用出来ます
- キャビティ数の少ない、小型のモールド金型を作製することでモールド金型に掛かる試作費用を大幅に削減する事が可能です（モールド金型やリードフレーム設計も対応致します）
- 樹脂密着強度試験（プリンカップ試験）も対応可能
- ダイスペース575mmx600mm
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トランスファーモールド -
小型の金型も作製可能
セミオート装置
QFN、BGAパッケージ他 対応可能
1枚の基板で4キャビティの樹脂封止に対応
- 基板サイズ：51mm×191mm
- 基板厚さ：0.2-0.8mmt
- 総厚：最大1.3mmt
- 封止範囲：44×45mm（1キャビティ）
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セミオート装置
セミオート装置
TOパッケージ、放熱パッケージ他 対応可能
減圧下でのモールドが可能、パワーデバイス用の樹脂封止に対応。
TO-247、パワーモジュール
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セミオート装置
コンプレッションモールド
顆粒樹脂を用いたコンプレッション方式を採用しております、この方式は溶融した樹脂の中にボンディング済みのチップやワイヤーを浸し圧力を掛け封止します。トランスファーモールドに比べ、モールド時の樹脂の流動が少ないため細線化しているワイヤーの変形防止やチップ上のモールド厚みの薄膜化を可能にします。また、離型フィルムを使用しモールドを行うため、クリーニング材や離型材が必要ありません。
セミオート装置
QFNやWLP（ウェハーレベルパッケージ）他対応可能
大型サンプルで厚い樹脂封止に対応可能
- 基板サイズ：230mm×190mm
- 基板厚さ：0.3mm以上
- 総厚：1.2-2.0mm
- 封止範囲：220×180mm
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セミオート装置
セミオート装置
QFNやBGA他 対応可能
小型のサンプルで薄い樹脂封止に対応可能
- 基板サイズ：230mm×62mm
- 基板厚さ：0.15mm以上
- 総厚：0.5-1.2mm
- 封止範囲：220×54mm
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セミオート装置
当社はモールドの前後工程も請け負っているので、トータル的なサポートが可能です。ご希望のモールド金型やリードフレームを作製し、モールド封止試作も対応しております。モールド後のワイヤー流れや樹脂の剥離等、パッケージ内部をX線装置やSATを用いて非破壊で観察が可能です。モールド前のO2、Arプラズマ処理にも対応し、ポッティング封止にも対応しております。
パッケージ1個から短納期で対応いたします。試作・加工時の立ち会いも可能ですので、お気軽にお問い合わせください。
service flow_納品までの流れ
半導体のプロフェショナルにお気軽にご相談をお寄せください。
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