シーマ電子株式会社

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真空半田付装置

#IGBTダイボンディング #パワーデバイス装置 #真空 #ギ酸 #水素リフロー #プラズマクリーニング装置

真空半田付装置

当社は、神港精機株式会社製真空半田付装置およびプラズマクリーニング装置を取り扱っております。真空中で半田を溶融させる事により、ボイドを低減させた半田付けや焼結材接合(シンタリング材)が可能です。また、予備加熱を還元雰囲気中(水素orギ酸)で処理することで良好な濡れ性が確保でき、フラックスレスでの半田付けを実現させます。IGBTパワーデバイス素子のダイボンディングやフリップチップ実装用のバンプ形成に最適です。

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雰囲気ガスは、N2、水素、ギ酸からお選び頂けます。IGBTパワーデバイス素子のボイドを低減させた半田、焼結材接合に最適です。

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バッチ式真空半田付装置

R&D 少量生産用

仕様
  • 用途:半田付け、バンプ形成
  • 処理サイズ:W310×D320×H150mm
  • 処理温度:常用100〜450℃ 最大500℃
  • 雰囲気:真空、N2、水素、ギ酸
  • 真空系:到達圧力1Pa以下
  • 装置寸法:W1030×D1300×H1840mm(付帯設備除く)
  • 重量:900kg

連続式N2真空半田付装置

ペースト半田量産用

仕様
  • 形態:5室構成連続式
  • 用途:半田付け
  • 処理サイズ:W300xD300xH28mm
  • 処理温度:100〜350℃ 最大450℃
  • 雰囲気:N2、真空
  • 真空系:到達圧力1Pa以下、処理圧力300Pa以下
  • 装置寸法:W1350xD5800xH1800mm

連続式水素 or ギ酸真空半田付装置

フラックスレス量産用。還元雰囲気は、水素、ギ酸からお選び頂けます。

仕様
  • 形態:3室構成連続式
  • 用途:半田付け
  • 処理サイズ:W300xD300
  • 処理温度:360℃ 最大400℃
  • 雰囲気:真空、N2、水素、ギ酸
  • 真空系:到達圧力1Pa以下、処理圧力300Pa以下
  • 装置寸法:W1560xD3400xH1650mm

プラズマリフロー装置

半田バンプR&D 少量産用〜量産用。300mmウェハにも対応。

仕様
  • 装置形態:バッチ処理 or 枚葉処理
  • 処理形態:φ300mmウェハ
  • 真空系:到達圧力1Pa以下
  • 処理ガス:水素(N2)
  • 装置寸法:本体 W1290xD1740xH1400mm、ポンプ W500xD750xH900mm
  • 重量:本体約750kg ポンプ約130kg

プラズマクリーニング装置

半田付け前処理となる有機物や酸化膜の除去によりボンディング性を向上。小型タイプから大型基板対応の量産タイプまで幅広く対応。

仕様
  • 装置形態:バッチ処理
  • 処理形態:基板等
  • 処理サイズ:500mm角 20mmt
  • 真空系:到達圧力1Pa以下、処理圧力40〜100Pa
  • 装置寸法:450mm角 W975xD14700xH1475mm
納品までの流れ

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