電子材料の販売、ICパッケージの試作・解析・評価

パワーデバイス試作・評価

静特性測定

半導体素子のDCパラメトリック特性を測定致します。

トランジスタやダイオードなどのパワーデバイスについて増幅、スイッチ等の電気特性(DCパラメトリック特性)を
測定しております。電圧は最大2kV、電流は最大200Aまで測定可能です。

  • オン抵抗実測データ
    オン抵抗実測データ

特長

対象デバイス トランジスタ、MOSFET、IGBT、ダイオード、サイリスタ
印加範囲 電圧最大2kV、電流200A
測定時間 10μsec〜999msec(10A以上は最大1msec)
測定チャンネル 3チャンネル(MOSFET:ch1chソース 2chゲート 3chドレイン)
測定環境 常温〜200℃

測定項目

【ダイオード】
No 測定項目 範囲
印可 測定
IR(遮断電流) 1.00V〜2.00kV 0.000nA〜99.99mA
VR(降伏電圧) 1.00μA〜99.9mA 0.00V〜2.00kV
VF(順方向電圧) 1.00μA〜200A 0.0mV〜20.00V
【MOSFET】
No 測定項目 範囲
印可 測定
IDSS(遮断電流) 1.00V〜2.00kV 0.000nA〜99.99mA
IGSS(遮断電流) 1.00V〜50.0V 0.000nA〜99.99mA
VDSS(降伏電圧) 1.00μA〜99.9mA 0.00V〜2.000kV
VFDS(順方向電圧) 1.00μA〜200A 0.0mV〜20.00V
VTH(しきい値) 1.00μA〜200A 0.0mV〜20.0V
1.00V〜30.0V
VDSON
(ドレイン-ソース電圧)
1.00μA〜200A 0.0mV〜20.0V
0.00V〜50.0V

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