電子材料の販売、ICパッケージの試作・解析・評価

パワーデバイス試作・評価

過渡熱抵抗測定

瞬間的(単発やパルス)に大電力を印加した際の熱抵抗を測定いたします。

IGBT、MOSFET、ダイオード、モジュール等パワーデバイスに関する放熱特性評価に最適です。実チップおよびオリジナルTEGチップのいずれでも測定可能です。

また、定常状態(飽和)での熱抵抗測定も対応可能です。

定常状態(飽和)での熱抵抗測定についてはこちら

  • 装置写真
    装置写真
  • 過渡熱抵抗測定データ例
    過渡熱抵抗測定データ例

POWER TESTER

POWER TESTERを使った構造関数解析による過渡熱測定も対応可能です。

 

特長

【TEGチップ】
印加電流 0〜2A
測定電流 0〜119mA
VDS 0〜100V
【実チップ】
印加電流 0.01〜99.9A
測定電流 1〜99mA
VDS 1〜799V
GATE LIMIT電圧 1〜19.9V
PT 100μp〜999s
DT 10μs〜999μs

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