電子材料の販売、ICパッケージの試作・解析・評価

パワーデバイス試作・評価

熱抵抗測定

定常状態(飽和)と過渡熱状態(非飽和)での熱抵抗測定が可能です。

飽和状態での測定は、20年以上の実績を持ち、当社の測定方法は業界標準になっております。
また、瞬間的(単発やパルス)に大電力を印加した際の過渡熱抵抗測定も対応しており、
IGBT、MOSFET、ダイオード、モジュール等パワーデバイスに関する放熱特性評価に最適です。
実チップおよびオリジナルTEGチップのいずれでも測定可能です。

  • 装置写真
    装置写真
  • 過渡熱抵抗測定データ例
    過渡熱抵抗測定データ例

特長

【TEGチップ】
印加電流 0〜2A
測定電流 0〜119mA
VDS 0〜100V
【実チップ】
印加電流 0.01〜99.9A
測定電流 1〜99mA
VDS 1〜799V
GATE LIMIT電圧 1〜19.9V
PT 100μp〜999s
DT 10μs〜999μs

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