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バンプ/COF/TCP組立・COG加工

EMS受託加工例

金バンプ加工

主に液晶ドライバーIC製造の後工程に使用され、狭ピッチ、均一高さでの加工が可能です。
対応可能ウエハーサイズ:5″, 6″, 8″, 12″

 

実用例

ドライバー IC、RFID、指紋認証、インクジェット プリンター、 CMOSイメージ、センサー、パワー IC、高速デバイス、光電子デバイス(ex.LED照明関連) etc.


  • 金バンプ(液晶用ドライバーIC)

ソルダーバンプ加工

PCのCPUや携帯電話用途など幅広い分野でのICパッケージ製造に使用され、フリップチップ実装時に求められる精度の高いバンプ形成が可能です。
対応可能ウエハーサイズ:6″, 8″, 12″

 

実用例

RFID、CMOS イメージセンサー、パワー IC、高速デバイス、光電子デバイス etc.

 


  • 共晶ソルダーバンプ

  • 鉛フリーソルダーバンプ

 

上記の他、ウエハーへの銅バンプ(銅ポスト、または銅ポスト+ソルダー)加工、ウエハー状態での特殊加工など、何でもご相談下さい。

 


  • 銅ポスト

  • 銅ポスト+ソルダーレジスト

厚膜銅再配線加工

高度なバンプ加工技術と最先端の加工プロセスにより、厚膜銅再配線の加工依頼に対応できます。
対応可能ウエハーサイズ: 6″, 8″
対応可能厚膜銅の銅厚: 5~21um

 

厚膜銅再配線加工の主な目的
  • パワーデバイスのオン抵抗(Rds-on)の低減により電力損失を最小限にすることができます。
  • 厚膜銅再配線によるスイッチング損失の低減で、スイッチング速度が向上します。
  • チップサイズの小型化が可能になり、コストの削減ができます。

 

厚膜銅再配線加工の主な目的
Micro DC-DC Converter, Power MOSFET, 液晶パネルLED Back Light Controller, DVD-ROM, DVD-RW, Blu rayなどのMotor Driver etc.

ウエハーバックサイドメタライゼーション加工(BSM)

Chipの熱をより良く放出させる為の、ウエハー裏面への金属蒸着処理の依頼に対応できます。
対応可能ウエハーサイズ: 5″, 6″, 8″
対応可能ウエハー厚み: 90~400um

 

蒸着金属の種類 金属の厚み
Ti/Pt/Au Ti: 1000A~2000A
Ti/Ni/Al Pt: 500A~1000A
Ti/Al Ni: 3000A
Ti/Ni/AuSn Au: 500A~1um
Ti/Ni/Au AuSn: 8000A~4um
Ti/Ni/Ag Ag: 1500A~2um
Ti/Ni/Ag/Au Al: 1000A~8000A

COF/TCP組立・COG加工

液晶ドライバーIC組立用の最先端設備と豊かなノウハウにより、高品質なCOF/TCPのファインピッチ組立が可能です。また、世界有数のキャパシティーを誇る製造ラインにより、短納期・大量生産の対応ができます。現在、量産で最もファインと言われている20μmピッチ前後のCOFアセンブリも対応可能です。

液晶ドライバーICのCOG加工として、金バンプ加工から、ウエハーテスト、COG個片化まで、短納期で一連の対応ができます。

12″ウエハーのCOG加工も対応しております。

 


  • バンプとリードの接合

  • ILB(COF)

  • ILB(TCP)

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